Купити IXYS IXFN70N60Q2 MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IXFN70N60Q2

MOSFET N-CH 600V 70A SOT-227B

Номер деталі

IXFN70N60Q2

Виробник/бренд

IXYS

Серія

HiPerFET™

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Chassis Mount

Пакет / футляр

SOT-227-4, miniBLOC

Пакет пристроїв постачальника

SOT-227B

Розсіювана потужність (макс.)

890W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

70A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80 mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

265nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

7200pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 20167 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

IXFN100N10S1

MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B