Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFN80N50Q2

IXFN80N50Q2

MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Номер деталі
IXFN80N50Q2
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Chassis Mount
Пакет / футляр
SOT-227-4, miniBLOC
Пакет пристроїв постачальника
SOT-227B
Розсіювана потужність (макс.)
890W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
500V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
250nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
12800pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 54082 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFN80N50Q2
IXFN80N50Q2 Електронні компоненти
IXFN80N50Q2 Продажі
IXFN80N50Q2 Постачальник
IXFN80N50Q2 Дистриб'ютор
IXFN80N50Q2 Таблиця даних
IXFN80N50Q2 Фотографії
IXFN80N50Q2 Ціна
IXFN80N50Q2 Пропозиція
IXFN80N50Q2 Найнижча ціна
IXFN80N50Q2 Пошук
IXFN80N50Q2 Закупівля
IXFN80N50Q2 Чіп