Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFR14N100Q2

IXFR14N100Q2

MOSFET N-CH 1KV 9.5A ISOPLUS247
Номер деталі
IXFR14N100Q2
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
ISOPLUS247™
Пакет пристроїв постачальника
ISOPLUS247™
Розсіювана потужність (макс.)
200W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
1000V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
83nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2700pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 24747 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFR14N100Q2
IXFR14N100Q2 Електронні компоненти
IXFR14N100Q2 Продажі
IXFR14N100Q2 Постачальник
IXFR14N100Q2 Дистриб'ютор
IXFR14N100Q2 Таблиця даних
IXFR14N100Q2 Фотографії
IXFR14N100Q2 Ціна
IXFR14N100Q2 Пропозиція
IXFR14N100Q2 Найнижча ціна
IXFR14N100Q2 Пошук
IXFR14N100Q2 Закупівля
IXFR14N100Q2 Чіп