Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFT150N20T

IXFT150N20T

MOSFET N-CH 200V 150A TO-268
Номер деталі
IXFT150N20T
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™, TrenchT2™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет пристроїв постачальника
TO-268
Розсіювана потужність (макс.)
890W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
200V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
177nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
11700pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 26102 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFT150N20T
IXFT150N20T Електронні компоненти
IXFT150N20T Продажі
IXFT150N20T Постачальник
IXFT150N20T Дистриб'ютор
IXFT150N20T Таблиця даних
IXFT150N20T Фотографії
IXFT150N20T Ціна
IXFT150N20T Пропозиція
IXFT150N20T Найнижча ціна
IXFT150N20T Пошук
IXFT150N20T Закупівля
IXFT150N20T Чіп