Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFT30N60Q

IXFT30N60Q

MOSFET N-CH 600V 30A TO-268(D3)
Номер деталі
IXFT30N60Q
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Bulk
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет пристроїв постачальника
TO-268
Розсіювана потужність (макс.)
500W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
600V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
125nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
4700pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 31360 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFT30N60Q
IXFT30N60Q Електронні компоненти
IXFT30N60Q Продажі
IXFT30N60Q Постачальник
IXFT30N60Q Дистриб'ютор
IXFT30N60Q Таблиця даних
IXFT30N60Q Фотографії
IXFT30N60Q Ціна
IXFT30N60Q Пропозиція
IXFT30N60Q Найнижча ціна
IXFT30N60Q Пошук
IXFT30N60Q Закупівля
IXFT30N60Q Чіп