Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFT320N10T2

IXFT320N10T2

MOSFET N-CH 100V 320A TO-26
Номер деталі
IXFT320N10T2
Виробник/бренд
Серія
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Пакет пристроїв постачальника
TO-268
Розсіювана потужність (макс.)
1000W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
430nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
26000pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 41707 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFT320N10T2
IXFT320N10T2 Електронні компоненти
IXFT320N10T2 Продажі
IXFT320N10T2 Постачальник
IXFT320N10T2 Дистриб'ютор
IXFT320N10T2 Таблиця даних
IXFT320N10T2 Фотографії
IXFT320N10T2 Ціна
IXFT320N10T2 Пропозиція
IXFT320N10T2 Найнижча ціна
IXFT320N10T2 Пошук
IXFT320N10T2 Закупівля
IXFT320N10T2 Чіп