Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
IXFX30N100Q2

IXFX30N100Q2

MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
Номер деталі
IXFX30N100Q2
Виробник/бренд
Серія
HiPerFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-247-3
Пакет пристроїв постачальника
PLUS247™-3
Розсіювана потужність (макс.)
735W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
1000V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
186nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
8200pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±30V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 53905 PCS
Контактна інформація
Ключові слова IXFX30N100Q2
IXFX30N100Q2 Електронні компоненти
IXFX30N100Q2 Продажі
IXFX30N100Q2 Постачальник
IXFX30N100Q2 Дистриб'ютор
IXFX30N100Q2 Таблиця даних
IXFX30N100Q2 Фотографії
IXFX30N100Q2 Ціна
IXFX30N100Q2 Пропозиція
IXFX30N100Q2 Найнижча ціна
IXFX30N100Q2 Пошук
IXFX30N100Q2 Закупівля
IXFX30N100Q2 Чіп