Купити IXYS IXTP1R6N100D2 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

IXTP1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB

Номер деталі

IXTP1R6N100D2

Виробник/бренд

IXYS

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-220-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-220AB

Розсіювана потужність (макс.)

100W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Depletion Mode

Напруга відведення до джерела (Vdss)

1000V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

1.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

27nC @ 5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

645pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 16707 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

IXTP01N100D

MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB