Купити Microsemi Corporation APTGT50H60RT3G POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

APTGT50H60RT3G

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3

Номер деталі

APTGT50H60RT3G

Виробник/бренд

Microsemi Corporation

Серія

Статус частини

Active

Робоча температура

Тип монтажу

Chassis Mount

Пакет / футляр

SP3

Потужність - Макс

176W

Конфігурація

Full Bridge Inverter

Пакет пристроїв постачальника

SP3

Струм - колектор (Ic) (макс.)

80A

Напруга - пробій колектора емітера (макс.)

600V

Струм - відсічення колектора (макс.)

250µA

Тип IGBT

Trench Field Stop

Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

Вхідна ємність (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

Введення

Single Phase Bridge Rectifier

Термістор NTC

Yes

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 14443 PCS

Контактна інформація