Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
PSMN2R0-30YLDX

PSMN2R0-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK
Номер деталі
PSMN2R0-30YLDX
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
SC-100, SOT-669
Пакет пристроїв постачальника
LFPAK56, Power-SO8
Розсіювана потужність (макс.)
142W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
46nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2969pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 24089 PCS
Контактна інформація
Ключові слова PSMN2R0-30YLDX
PSMN2R0-30YLDX Електронні компоненти
PSMN2R0-30YLDX Продажі
PSMN2R0-30YLDX Постачальник
PSMN2R0-30YLDX Дистриб'ютор
PSMN2R0-30YLDX Таблиця даних
PSMN2R0-30YLDX Фотографії
PSMN2R0-30YLDX Ціна
PSMN2R0-30YLDX Пропозиція
PSMN2R0-30YLDX Найнижча ціна
PSMN2R0-30YLDX Пошук
PSMN2R0-30YLDX Закупівля
PSMN2R0-30YLDX Чіп