Купити NXP USA Inc. PMPB12UN,115 MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

PMPB12UN,115

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN

Номер деталі

PMPB12UN,115

Виробник/бренд

NXP USA Inc.

Серія

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

6-UDFN Exposed Pad

Пакет пристроїв постачальника

6-DFN2020MD (2x2)

Розсіювана потужність (макс.)

1.7W (Ta), 12.5W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

7.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 7.9A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

13nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

886pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 34396 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

PMPB100ENEAX

PMPB100ENEA/SOT1220/SOT1220