MUN5313DW1T1G
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Номер деталі
MUN5313DW1T1G
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Потужність - Макс
250mW
Пакет пристроїв постачальника
SC-88/SC70-6/SOT-363
Тип транзистора
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Струм - колектор (Ic) (макс.)
100mA
Напруга - пробій колектора емітера (макс.)
50V
Насичення Vce (макс.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Струм - відсічення колектора (макс.)
500nA
Коефіцієнт підсилення постійного струму (hFE) (хв.) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Частота - Перехід
-
Резистор - база (R1)
47 kOhms
Резистор - база емітера (R2)
47 kOhms
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 15193 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова MUN5313DW1T1G
MUN5313DW1T1G Електронні компоненти
MUN5313DW1T1G Продажі
MUN5313DW1T1G Постачальник
MUN5313DW1T1G Дистриб'ютор
MUN5313DW1T1G Таблиця даних
MUN5313DW1T1G Фотографії
MUN5313DW1T1G Ціна
MUN5313DW1T1G Пропозиція
MUN5313DW1T1G Найнижча ціна
MUN5313DW1T1G Пошук
MUN5313DW1T1G Закупівля
MUN5313DW1T1G Чіп