NVD5806NT4G
MOSFET N-CH 40V DPAK
Номер деталі
NVD5806NT4G
Виробник/бренд
Статус частини
Discontinued at Digi-Key
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Пакет пристроїв постачальника
DPAK
Розсіювана потужність (макс.)
40W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Напруга відведення до джерела (Vdss)
40V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
19 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
38nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
860pF @ 25V
Vgs (макс.)
±20V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 18080 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова NVD5806NT4G
NVD5806NT4G Електронні компоненти
NVD5806NT4G Продажі
NVD5806NT4G Постачальник
NVD5806NT4G Дистриб'ютор
NVD5806NT4G Таблиця даних
NVD5806NT4G Фотографії
NVD5806NT4G Ціна
NVD5806NT4G Пропозиція
NVD5806NT4G Найнижча ціна
NVD5806NT4G Пошук
NVD5806NT4G Закупівля
NVD5806NT4G Чіп