Купити Renesas Electronics America RJK0332DPB-01#J0 MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

RJK0332DPB-01#J0

MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK

Номер деталі

RJK0332DPB-01#J0

Виробник/бренд

Renesas Electronics America

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

SC-100, SOT-669

Пакет пристроїв постачальника

LFPAK

Розсіювана потужність (макс.)

45W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

35A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.7 mOhm @ 17.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

14nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2180pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 5429 PCS

Контактна інформація