Купити Renesas Electronics America RJK0601DPN-E0#T2 MOSFET N-CH 60V 110A TO220

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

RJK0601DPN-E0#T2

MOSFET N-CH 60V 110A TO220

Номер деталі

RJK0601DPN-E0#T2

Виробник/бренд

Renesas Electronics America

Серія

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-220-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-220AB

Розсіювана потужність (макс.)

200W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

60V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

110A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1 mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

141nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

10000pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 38907 PCS

Контактна інформація