Купити Renesas Electronics America RJK6015DPM-00#T1 MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

RJK6015DPM-00#T1

MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM

Номер деталі

RJK6015DPM-00#T1

Виробник/бренд

Renesas Electronics America

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-3PFM, SC-93-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-3PFM

Розсіювана потужність (макс.)

60W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

21A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

360 mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

67nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2600pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 51072 PCS

Контактна інформація