Купити Renesas Electronics America RJK6025DPD-00#J2 MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

RJK6025DPD-00#J2

MOSFET N-CH 600V 1A MP3A

Номер деталі

RJK6025DPD-00#J2

Виробник/бренд

Renesas Electronics America

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Пакет пристроїв постачальника

MP-3A

Розсіювана потужність (макс.)

29.7W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

5nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

37.5pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 10151 PCS

Контактна інформація