Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
Номер деталі
RQ3E160ADTB
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-PowerVDFN
Пакет пристроїв постачальника
8-HSMT (3.2x3)
Розсіювана потужність (макс.)
2W (Ta)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
51nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2550pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 47893 PCS
Контактна інформація
Ключові слова RQ3E160ADTB
RQ3E160ADTB Електронні компоненти
RQ3E160ADTB Продажі
RQ3E160ADTB Постачальник
RQ3E160ADTB Дистриб'ютор
RQ3E160ADTB Таблиця даних
RQ3E160ADTB Фотографії
RQ3E160ADTB Ціна
RQ3E160ADTB Пропозиція
RQ3E160ADTB Найнижча ціна
RQ3E160ADTB Пошук
RQ3E160ADTB Закупівля
RQ3E160ADTB Чіп