SI8261BBC-C-IPR
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8DIPGW
Номер деталі
SI8261BBC-C-IPR
Виробник/бренд
Серія
Automotive, AEC-Q100
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
Capacitive Coupling
Робоча температура
-40°C ~ 125°C
Дозволи
CQC, CSA, UR, VDE
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-SMD, Gull Wing
Кількість каналів
1
Пакет пристроїв постачальника
8-DIP Gull Wing
Напруга - живлення
9.4 V ~ 30 V
Струм - вихід високий, низький
500mA, 1.2A
Напруга - Ізоляція
3750Vrms
Струм - піковий вихід
4A
Час підйому/спаду (тип.)
5.5ns, 8.5ns
Перехідний імунітет до синфазного режиму (хв.)
35kV/µs
Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.)
60ns, 50ns
Спотворення ширини імпульсу (макс.)
28ns
Напруга - вперед (Vf) (тип.)
2.8V (Max)
Струм - прямий постійний струм (якщо) (макс.)
30mA
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 9471 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова SI8261BBC-C-IPR
SI8261BBC-C-IPR Електронні компоненти
SI8261BBC-C-IPR Продажі
SI8261BBC-C-IPR Постачальник
SI8261BBC-C-IPR Дистриб'ютор
SI8261BBC-C-IPR Таблиця даних
SI8261BBC-C-IPR Фотографії
SI8261BBC-C-IPR Ціна
SI8261BBC-C-IPR Пропозиція
SI8261BBC-C-IPR Найнижча ціна
SI8261BBC-C-IPR Пошук
SI8261BBC-C-IPR Закупівля
SI8261BBC-C-IPR Чіп