SI8261BBC-C-IS
DGTL ISO 3.75KV GATE DRVR 8SOIC
Номер деталі
SI8261BBC-C-IS
Виробник/бренд
Серія
Automotive, AEC-Q100
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
Capacitive Coupling
Робоча температура
-40°C ~ 125°C
Дозволи
CQC, CSA, UR, VDE
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Кількість каналів
1
Пакет пристроїв постачальника
8-SOIC
Напруга - живлення
9.4 V ~ 30 V
Струм - вихід високий, низький
500mA, 1.2A
Напруга - Ізоляція
3750Vrms
Струм - піковий вихід
4A
Час підйому/спаду (тип.)
5.5ns, 8.5ns
Перехідний імунітет до синфазного режиму (хв.)
35kV/µs
Затримка поширення tpLH / tpHL (макс.)
60ns, 50ns
Спотворення ширини імпульсу (макс.)
28ns
Напруга - вперед (Vf) (тип.)
2.8V (Max)
Струм - прямий постійний струм (якщо) (макс.)
30mA
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 51400 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова SI8261BBC-C-IS
SI8261BBC-C-IS Електронні компоненти
SI8261BBC-C-IS Продажі
SI8261BBC-C-IS Постачальник
SI8261BBC-C-IS Дистриб'ютор
SI8261BBC-C-IS Таблиця даних
SI8261BBC-C-IS Фотографії
SI8261BBC-C-IS Ціна
SI8261BBC-C-IS Пропозиція
SI8261BBC-C-IS Найнижча ціна
SI8261BBC-C-IS Пошук
SI8261BBC-C-IS Закупівля
SI8261BBC-C-IS Чіп