Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
STB35N65DM2

STB35N65DM2

NCHANNEL 650 V 0.094 OHM TYP. 28
Номер деталі
STB35N65DM2
Виробник/бренд
Серія
MDmesh™ M2
Статус частини
Active
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Пакет пристроїв постачальника
D2PAK
Розсіювана потужність (макс.)
210W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Напруга відведення до джерела (Vdss)
650V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110 mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
54nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
2400pF @ 100V
Vgs (макс.)
±25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 18151 PCS
Контактна інформація
Ключові слова STB35N65DM2
STB35N65DM2 Електронні компоненти
STB35N65DM2 Продажі
STB35N65DM2 Постачальник
STB35N65DM2 Дистриб'ютор
STB35N65DM2 Таблиця даних
STB35N65DM2 Фотографії
STB35N65DM2 Ціна
STB35N65DM2 Пропозиція
STB35N65DM2 Найнижча ціна
STB35N65DM2 Пошук
STB35N65DM2 Закупівля
STB35N65DM2 Чіп