Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
STP165N10F4
MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Номер деталі
STP165N10F4
Виробник/бренд
Серія
DeepGATE™, STripFET™
Статус частини
Active
Упаковка
Tube
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Through Hole
Пакет / футляр
TO-220-3
Пакет пристроїв постачальника
TO-220AB
Розсіювана потужність (макс.)
315W (Tc)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
180nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
10500pF @ 25V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 34236 PCS
Контактна інформація
Супутні товари
Ключові слова STP165N10F4
STP165N10F4 Електронні компоненти
STP165N10F4 Продажі
STP165N10F4 Постачальник
STP165N10F4 Дистриб'ютор
STP165N10F4 Таблиця даних
STP165N10F4 Фотографії
STP165N10F4 Ціна
STP165N10F4 Пропозиція
STP165N10F4 Найнижча ціна
STP165N10F4 Пошук
STP165N10F4 Закупівля
STP165N10F4 Чіп