Купити Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Номер деталі

TSM120N10PQ56 RLG

Виробник/бренд

Taiwan Semiconductor Corporation

Серія

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-PowerTDFN

Пакет пристроїв постачальника

8-PDFN (5x6)

Розсіювана потужність (макс.)

36W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

100V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

58A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

145nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

3902pF @ 30V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 41530 PCS

Контактна інформація