Купити Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB190CI C0G MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TSM60NB190CI C0G

MOSFET N-CH 600V 18A ITO220

Номер деталі

TSM60NB190CI C0G

Виробник/бренд

Taiwan Semiconductor Corporation

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Пакет пристроїв постачальника

ITO-220

Розсіювана потужність (макс.)

33.8W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

190 mOhm @ 6A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

31nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1273pF @ 100V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 7284 PCS

Контактна інформація