Купити Toshiba Semiconductor and Storage MT3S113P(TE12L,F) RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

MT3S113P(TE12L,F)

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Номер деталі

MT3S113P(TE12L,F)

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-243AA

Потужність - Макс

1.6W

Пакет пристроїв постачальника

PW-MINI

Тип транзистора

NPN

Струм - колектор (Ic) (макс.)

100mA

Напруга - пробій колектора емітера (макс.)

5.3V

Коефіцієнт підсилення постійного струму (hFE) (хв.) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Частота - Перехід

7.7GHz

Коефіцієнт шуму (дБ Typ @ f)

1.45dB @ 1GHz

посилення

10.5dB

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 46045 PCS

Контактна інформація