Купити Toshiba Semiconductor and Storage RN1110MFV,L3F TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

RN1110MFV,L3F

TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

Номер деталі

RN1110MFV,L3F

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

Статус частини

Discontinued at Digi-Key

Упаковка

Cut Tape (CT)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

SOT-723

Потужність - Макс

150mW

Пакет пристроїв постачальника

VESM

Тип транзистора

NPN - Pre-Biased

Струм - колектор (Ic) (макс.)

100mA

Напруга - пробій колектора емітера (макс.)

50V

Насичення Vce (макс.) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 5mA

Струм - відсічення колектора (макс.)

100nA (ICBO)

Коефіцієнт підсилення постійного струму (hFE) (хв.) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 5V

Частота - Перехід

Резистор - база (R1)

4.7 kOhms

Резистор - база емітера (R2)

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 50846 PCS

Контактна інформація