Купити Toshiba Semiconductor and Storage RN2606(TE85L,F) TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

RN2606(TE85L,F)

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6

Номер деталі

RN2606(TE85L,F)

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

SC-74, SOT-457

Потужність - Макс

300mW

Пакет пристроїв постачальника

SM6

Тип транзистора

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

Струм - колектор (Ic) (макс.)

100mA

Напруга - пробій колектора емітера (макс.)

50V

Насичення Vce (макс.) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA

Струм - відсічення колектора (макс.)

100nA (ICBO)

Коефіцієнт підсилення постійного струму (hFE) (хв.) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

Частота - Перехід

200MHz

Резистор - база (R1)

4.7 kOhms

Резистор - база емітера (R2)

47 kOhms

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 45042 PCS

Контактна інформація