Купити Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J35MFV,L3F MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SSM3J35MFV,L3F

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

Номер деталі

SSM3J35MFV,L3F

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

π-MOSVI

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

SOT-723

Пакет пристроїв постачальника

VESM

Розсіювана потужність (макс.)

150mW (Ta)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

100mA (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8 Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th) (Max) @ Id

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

12.2pF @ 3V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4V

Vgs (макс.)

±10V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 47606 PCS

Контактна інформація