Купити Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J501NU,LF MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SSM6J501NU,LF

MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B

Номер деталі

SSM6J501NU,LF

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSVI

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

6-WDFN Exposed Pad

Пакет пристроїв постачальника

6-UDFNB (2x2)

Розсіювана потужність (макс.)

1W (Ta)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

10A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15.3 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

29.9nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2600pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 20190 PCS

Контактна інформація