Купити Toshiba Semiconductor and Storage TK10V60W,LVQ MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TK10V60W,LVQ

MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

Номер деталі

TK10V60W,LVQ

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

DTMOSIV

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

4-VSFN Exposed Pad

Пакет пристроїв постачальника

4-DFN-EP (8x8)

Розсіювана потужність (макс.)

88.3W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Super Junction

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

9.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 500µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

20nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

700pF @ 300V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 18127 PCS

Контактна інформація