Купити Toshiba Semiconductor and Storage TK11A60D(STA4,Q,M) MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TK11A60D(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 600V 11A TO-220SIS

Номер деталі

TK11A60D(STA4,Q,M)

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

π-MOSVII

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-220-3 Full Pack

Пакет пристроїв постачальника

TO-220SIS

Розсіювана потужність (макс.)

45W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

600V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

650 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

28nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1550pF @ 25V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±30V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 22034 PCS

Контактна інформація