Купити Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TK12E80W,S1X

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

Номер деталі

TK12E80W,S1X

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

DTMOSIV

Статус частини

Active

Упаковка

Tube

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C

Тип монтажу

Through Hole

Пакет / футляр

TO-220-3

Пакет пристроїв постачальника

TO-220

Розсіювана потужність (макс.)

165W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

800V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

11.5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

450 mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 570µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

23nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1400pF @ 300V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 22952 PCS

Контактна інформація