Купити Toshiba Semiconductor and Storage TPC8113(TE12L,Q) MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

TPC8113(TE12L,Q)

MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Номер деталі

TPC8113(TE12L,Q)

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)

Пакет пристроїв постачальника

8-SOP (5.5x6.0)

Розсіювана потужність (макс.)

1W (Ta)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

11A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

107nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

4500pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 45719 PCS

Контактна інформація