Купити Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8B01(TE85L,F,M MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

TPCF8B01(TE85L,F,M

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

Номер деталі

TPCF8B01(TE85L,F,M

Виробник/бренд

Toshiba Semiconductor and Storage

Серія

U-MOSIII

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SMD, Flat Lead

Пакет пристроїв постачальника

VS-8 (2.9x1.5)

Розсіювана потужність (макс.)

330mW (Ta)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Schottky Diode (Isolated)

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

2.7A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110 mOhm @ 1.4A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 200µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

6nC @ 5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

470pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 10529 PCS

Контактна інформація