Купити Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GB100TP120N IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

VS-GB100TP120N

IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK

Номер деталі

VS-GB100TP120N

Виробник/бренд

Vishay Semiconductor Diodes Division

Серія

Статус частини

Active

Робоча температура

150°C (TJ)

Тип монтажу

Chassis Mount

Пакет / футляр

INT-A-PAK

Потужність - Макс

650W

Конфігурація

Half Bridge

Пакет пристроїв постачальника

INT-A-PAK

Струм - колектор (Ic) (макс.)

200A

Напруга - пробій колектора емітера (макс.)

1200V

Струм - відсічення колектора (макс.)

5mA

Тип IGBT

Vce(on) (макс.) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

Вхідна ємність (Cies) @ Vce

7.43nF @ 25V

Введення

Standard

Термістор NTC

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 46018 PCS

Контактна інформація