Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI1417EDH-T1-GE3

SI1417EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6
Номер деталі
SI1417EDH-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Пакет пристроїв постачальника
SC-70-6 (SOT-363)
Розсіювана потужність (макс.)
1W (Ta)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
12V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
8nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (макс.)
±12V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту chen_hx1688@hotmail.com, ми відповімо якомога швидше.
В наявності 24843 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI1417EDH-T1-GE3
SI1417EDH-T1-GE3 Електронні компоненти
SI1417EDH-T1-GE3 Продажі
SI1417EDH-T1-GE3 Постачальник
SI1417EDH-T1-GE3 Дистриб'ютор
SI1417EDH-T1-GE3 Таблиця даних
SI1417EDH-T1-GE3 Фотографії
SI1417EDH-T1-GE3 Ціна
SI1417EDH-T1-GE3 Пропозиція
SI1417EDH-T1-GE3 Найнижча ціна
SI1417EDH-T1-GE3 Пошук
SI1417EDH-T1-GE3 Закупівля
SI1417EDH-T1-GE3 Чіп