Купити Vishay Siliconix SI2301CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SI2301CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3

Номер деталі

SI2301CDS-T1-E3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Пакет пристроїв постачальника

SOT-23-3 (TO-236)

Розсіювана потужність (макс.)

860mW (Ta), 1.6W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

3.1A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

405pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 32344 PCS

Контактна інформація