Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI2301CDS-T1-E3

SI2301CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Номер деталі
SI2301CDS-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет пристроїв постачальника
SOT-23-3 (TO-236)
Розсіювана потужність (макс.)
860mW (Ta), 1.6W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
10nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
405pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 32344 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI2301CDS-T1-E3
SI2301CDS-T1-E3 Електронні компоненти
SI2301CDS-T1-E3 Продажі
SI2301CDS-T1-E3 Постачальник
SI2301CDS-T1-E3 Дистриб'ютор
SI2301CDS-T1-E3 Таблиця даних
SI2301CDS-T1-E3 Фотографії
SI2301CDS-T1-E3 Ціна
SI2301CDS-T1-E3 Пропозиція
SI2301CDS-T1-E3 Найнижча ціна
SI2301CDS-T1-E3 Пошук
SI2301CDS-T1-E3 Закупівля
SI2301CDS-T1-E3 Чіп