Купити Vishay Siliconix SI2304DDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SI2304DDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.3A SOT23

Номер деталі

SI2304DDS-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Пакет пристроїв постачальника

SOT-23-3 (TO-236)

Розсіювана потужність (макс.)

1.1W (Ta), 1.7W (Tc)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

3.3A (Ta), 3.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

6.7nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

235pF @ 15V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±20V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 10688 PCS

Контактна інформація