Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI2307CDS-T1-E3

SI2307CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Номер деталі
SI2307CDS-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет пристроїв постачальника
SOT-23-3 (TO-236)
Розсіювана потужність (макс.)
1.1W (Ta), 1.8W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
88 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.2nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
340pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 23515 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI2307CDS-T1-E3
SI2307CDS-T1-E3 Електронні компоненти
SI2307CDS-T1-E3 Продажі
SI2307CDS-T1-E3 Постачальник
SI2307CDS-T1-E3 Дистриб'ютор
SI2307CDS-T1-E3 Таблиця даних
SI2307CDS-T1-E3 Фотографії
SI2307CDS-T1-E3 Ціна
SI2307CDS-T1-E3 Пропозиція
SI2307CDS-T1-E3 Найнижча ціна
SI2307CDS-T1-E3 Пошук
SI2307CDS-T1-E3 Закупівля
SI2307CDS-T1-E3 Чіп