Купити Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Номер деталі

SI2315BDS-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Пакет пристроїв постачальника

SOT-23-3 (TO-236)

Розсіювана потужність (макс.)

750mW (Ta)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

12V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

715pF @ 6V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 45680 PCS

Контактна інформація