Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3
Номер деталі
SI2351DS-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Пакет пристроїв постачальника
SOT-23-3 (TO-236)
Розсіювана потужність (макс.)
1W (Ta), 2.1W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
5.1nC @ 5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
250pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±12V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 28467 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI2351DS-T1-E3
SI2351DS-T1-E3 Електронні компоненти
SI2351DS-T1-E3 Продажі
SI2351DS-T1-E3 Постачальник
SI2351DS-T1-E3 Дистриб'ютор
SI2351DS-T1-E3 Таблиця даних
SI2351DS-T1-E3 Фотографії
SI2351DS-T1-E3 Ціна
SI2351DS-T1-E3 Пропозиція
SI2351DS-T1-E3 Найнижча ціна
SI2351DS-T1-E3 Пошук
SI2351DS-T1-E3 Закупівля
SI2351DS-T1-E3 Чіп