Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI3430DV-T1-E3

SI3430DV-T1-E3

MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP
Номер деталі
SI3430DV-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
-
Статус частини
Active
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет пристроїв постачальника
6-TSOP
Розсіювана потужність (макс.)
1.14W (Ta)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
100V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
6.6nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Vgs (макс.)
±20V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 45699 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI3430DV-T1-E3
SI3430DV-T1-E3 Електронні компоненти
SI3430DV-T1-E3 Продажі
SI3430DV-T1-E3 Постачальник
SI3430DV-T1-E3 Дистриб'ютор
SI3430DV-T1-E3 Таблиця даних
SI3430DV-T1-E3 Фотографії
SI3430DV-T1-E3 Ціна
SI3430DV-T1-E3 Пропозиція
SI3430DV-T1-E3 Найнижча ціна
SI3430DV-T1-E3 Пошук
SI3430DV-T1-E3 Закупівля
SI3430DV-T1-E3 Чіп