Купити Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SI3460DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Номер деталі

SI3460DV-T1-E3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Пакет пристроїв постачальника

6-TSOP

Розсіювана потужність (макс.)

1.1W (Ta)

Тип FET

N-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

5.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 19522 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN