Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
Номер деталі
SI3460DV-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет пристроїв постачальника
6-TSOP
Розсіювана потужність (макс.)
1.1W (Ta)
Тип FET
N-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
5.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
27 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
450mV @ 1mA (Min)
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
20nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 19522 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI3460DV-T1-E3
SI3460DV-T1-E3 Електронні компоненти
SI3460DV-T1-E3 Продажі
SI3460DV-T1-E3 Постачальник
SI3460DV-T1-E3 Дистриб'ютор
SI3460DV-T1-E3 Таблиця даних
SI3460DV-T1-E3 Фотографії
SI3460DV-T1-E3 Ціна
SI3460DV-T1-E3 Пропозиція
SI3460DV-T1-E3 Найнижча ціна
SI3460DV-T1-E3 Пошук
SI3460DV-T1-E3 Закупівля
SI3460DV-T1-E3 Чіп