Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI4447DY-T1-E3

SI4447DY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC
Номер деталі
SI4447DY-T1-E3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Tape & Reel (TR)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет пристроїв постачальника
8-SO
Розсіювана потужність (макс.)
1.1W (Ta)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
40V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
72 mOhm @ 4.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
805pF @ 20V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
15V, 10V
Vgs (макс.)
±16V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 41041 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI4447DY-T1-E3
SI4447DY-T1-E3 Електронні компоненти
SI4447DY-T1-E3 Продажі
SI4447DY-T1-E3 Постачальник
SI4447DY-T1-E3 Дистриб'ютор
SI4447DY-T1-E3 Таблиця даних
SI4447DY-T1-E3 Фотографії
SI4447DY-T1-E3 Ціна
SI4447DY-T1-E3 Пропозиція
SI4447DY-T1-E3 Найнижча ціна
SI4447DY-T1-E3 Пошук
SI4447DY-T1-E3 Закупівля
SI4447DY-T1-E3 Чіп