Купити Vishay Siliconix SI5471DC-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SI5471DC-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

Номер деталі

SI5471DC-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Tape & Reel (TR)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-SMD, Flat Lead

Пакет пристроїв постачальника

1206-8 ChipFET™

Розсіювана потужність (макс.)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

20V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20 mOhm @ 9.1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

96nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

2945pF @ 10V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (макс.)

±12V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 26490 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8