Купити Vishay Siliconix SI6467BDQ-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Більше інформації Таблиці даних

SI6467BDQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP

Номер деталі

SI6467BDQ-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Obsolete

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Пакет пристроїв постачальника

8-TSSOP

Розсіювана потужність (макс.)

1.05W (Ta)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

12V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

6.8A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.5 mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

850mV @ 450µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

70nC @ 4.5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Vgs (макс.)

±8V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 17842 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI6404DQ-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 8.6A 8TSSOP