Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI6467BDQ-T1-GE3

SI6467BDQ-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Номер деталі
SI6467BDQ-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Пакет пристроїв постачальника
8-TSSOP
Розсіювана потужність (макс.)
1.05W (Ta)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
12V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.5 mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
850mV @ 450µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
70nC @ 4.5V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
-
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 17842 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI6467BDQ-T1-GE3
SI6467BDQ-T1-GE3 Електронні компоненти
SI6467BDQ-T1-GE3 Продажі
SI6467BDQ-T1-GE3 Постачальник
SI6467BDQ-T1-GE3 Дистриб'ютор
SI6467BDQ-T1-GE3 Таблиця даних
SI6467BDQ-T1-GE3 Фотографії
SI6467BDQ-T1-GE3 Ціна
SI6467BDQ-T1-GE3 Пропозиція
SI6467BDQ-T1-GE3 Найнижча ціна
SI6467BDQ-T1-GE3 Пошук
SI6467BDQ-T1-GE3 Закупівля
SI6467BDQ-T1-GE3 Чіп