Купити Vishay Siliconix SI7617DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SI7617DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

Номер деталі

SI7617DN-T1-GE3

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Digi-Reel®

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

PowerPAK® 1212-8

Пакет пристроїв постачальника

PowerPAK® 1212-8

Розсіювана потужність (макс.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

30V

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

35A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12.3 mOhm @ 13.9A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

59nC @ 10V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1800pF @ 15V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Vgs (макс.)

±25V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 8077 PCS

Контактна інформація

Супутні товари

SI7601DN-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8