Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI7617DN-T1-GE3

SI7617DN-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK
Номер деталі
SI7617DN-T1-GE3
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Active
Упаковка
Digi-Reel®
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
PowerPAK® 1212-8
Пакет пристроїв постачальника
PowerPAK® 1212-8
Розсіювана потужність (макс.)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
30V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3 mOhm @ 13.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
59nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
1800pF @ 15V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs (макс.)
±25V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 8077 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI7617DN-T1-GE3
SI7617DN-T1-GE3 Електронні компоненти
SI7617DN-T1-GE3 Продажі
SI7617DN-T1-GE3 Постачальник
SI7617DN-T1-GE3 Дистриб'ютор
SI7617DN-T1-GE3 Таблиця даних
SI7617DN-T1-GE3 Фотографії
SI7617DN-T1-GE3 Ціна
SI7617DN-T1-GE3 Пропозиція
SI7617DN-T1-GE3 Найнижча ціна
SI7617DN-T1-GE3 Пошук
SI7617DN-T1-GE3 Закупівля
SI7617DN-T1-GE3 Чіп