Купити Vishay Siliconix SI8429DB-T1-E1 MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Китай
Професійний постачальник електронних компонентів

Каталоги Виробники CN ICs

Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.

Таблиці даних

SI8429DB-T1-E1

MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP

Номер деталі

SI8429DB-T1-E1

Виробник/бренд

Vishay Siliconix

Серія

TrenchFET®

Статус частини

Active

Упаковка

Cut Tape (CT)

технології

MOSFET (Metal Oxide)

Робоча температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Тип монтажу

Surface Mount

Пакет / футляр

4-XFBGA, CSPBGA

Пакет пристроїв постачальника

4-Microfoot

Розсіювана потужність (макс.)

2.77W (Ta), 6.25W (Tc)

Тип FET

P-Channel

Функція FET

Напруга відведення до джерела (Vdss)

Струм - безперервний злив (Id) при 25°C

11.7A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs

26nC @ 5V

Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds

1640pF @ 4V

Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V

Vgs (макс.)

±5V

Запит пропозиції

Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.

В наявності 54153 PCS

Контактна інформація