Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI8451DB-T2-E1

SI8451DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Номер деталі
SI8451DB-T2-E1
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
6-MICRO FOOT™
Пакет пристроїв постачальника
6-Micro Foot™ (1.5x1)
Розсіювана потужність (макс.)
2.77W (Ta), 13W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
10.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
80 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
24nC @ 8V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
750pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±8V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 20721 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI8451DB-T2-E1
SI8451DB-T2-E1 Електронні компоненти
SI8451DB-T2-E1 Продажі
SI8451DB-T2-E1 Постачальник
SI8451DB-T2-E1 Дистриб'ютор
SI8451DB-T2-E1 Таблиця даних
SI8451DB-T2-E1 Фотографії
SI8451DB-T2-E1 Ціна
SI8451DB-T2-E1 Пропозиція
SI8451DB-T2-E1 Найнижча ціна
SI8451DB-T2-E1 Пошук
SI8451DB-T2-E1 Закупівля
SI8451DB-T2-E1 Чіп