Зображення може бути репрезентативним.
Деталі продукту див. у специфікаціях.
SI8467DB-T2-E1

SI8467DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Номер деталі
SI8467DB-T2-E1
Виробник/бренд
Серія
TrenchFET®
Статус частини
Obsolete
Упаковка
Cut Tape (CT)
технології
MOSFET (Metal Oxide)
Робоча температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажу
Surface Mount
Пакет / футляр
4-XFBGA, CSPBGA
Пакет пристроїв постачальника
4-Microfoot
Розсіювана потужність (макс.)
780mW (Ta), 1.8W (Tc)
Тип FET
P-Channel
Функція FET
-
Напруга відведення до джерела (Vdss)
20V
Струм - безперервний злив (Id) при 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
73 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
21nC @ 10V
Вхідна ємність (Ciss) (макс.) @ Vds
475pF @ 10V
Напруга приводу (макс. Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Vgs (макс.)
±12V
Запит пропозиції
Заповніть усі обов’язкові поля та натисніть «НАДІСЛАТИ», ми зв’яжемося з вами електронною поштою протягом 12 годин. Якщо у вас виникнуть проблеми, залиште повідомлення або електронну пошту [email protected], ми відповімо якомога швидше.
В наявності 47232 PCS
Контактна інформація
Ключові слова SI8467DB-T2-E1
SI8467DB-T2-E1 Електронні компоненти
SI8467DB-T2-E1 Продажі
SI8467DB-T2-E1 Постачальник
SI8467DB-T2-E1 Дистриб'ютор
SI8467DB-T2-E1 Таблиця даних
SI8467DB-T2-E1 Фотографії
SI8467DB-T2-E1 Ціна
SI8467DB-T2-E1 Пропозиція
SI8467DB-T2-E1 Найнижча ціна
SI8467DB-T2-E1 Пошук
SI8467DB-T2-E1 Закупівля
SI8467DB-T2-E1 Чіп